一種高密度側(cè)壁互聯(lián)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811596612.6 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110010495B 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號(hào) CN110010495B 申請公布日 2021-05-28
分類號(hào) H01L23/488(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 馮光建 申請（專利權(quán)）人 浙江臻鐳科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州天昊專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 313100 浙江省湖州市長興縣經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)陳王路與太湖路交叉口長興國家大學(xué)科技園二分部北園8號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高密度側(cè)壁互聯(lián)方法，具體處理包括101）第一載板上表面處理步驟、102）第一載板下表面處理步驟、103）第二載板上表面處理步驟、104）第二載板下表面處理步驟和105）側(cè)壁互聯(lián)步驟；本發(fā)明提供能豎立放置芯片的一種高密度側(cè)壁互聯(lián)方法。