一種底部帶TSV結(jié)構(gòu)的硅空腔結(jié)構(gòu)的制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811593478.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110010547A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110010547A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-15 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/768 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 馮光建;王志宇;張兵;周琪;張勛;郁發(fā)新 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 浙江臻鐳科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州天昊專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董世博 |
| 地址 | 310030 浙江省杭州市西湖區(qū)三墩鎮(zhèn)西園三路3號(hào)5幢6樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種底部帶TSV結(jié)構(gòu)的硅空腔結(jié)構(gòu)的制作方法，具體處理包括如下步驟：101）制作金屬柱步驟、102）制作空腔步驟、103）空腔處理步驟；本發(fā)明提供有利于后續(xù)的芯片粘接和接地，且本工藝制造流程簡(jiǎn)單，可以大大節(jié)省成本和制作時(shí)間的一種底部帶TSV結(jié)構(gòu)的硅空腔結(jié)構(gòu)的制作方法。 |
