一種抗PID 效應(yīng)的太陽能電池片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201420200809.4 申請日 -
公開（公告）號 CN203895468U 公開（公告）日 2014-10-22
申請公布號 CN203895468U 申請公布日 2014-10-22
分類號 H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/042(2014.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張鳳;金建安 申請（專利權(quán)）人 協(xié)鑫硅材料科技（太倉）有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 付濤
地址 215028 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)圓融時代廣場國際金融中心19樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型屬于光伏太陽能電池的制造技術(shù)，涉及一種抗電勢誘導(dǎo)衰減效應(yīng)的太陽能電池片。其電池片包括有晶體硅襯底、絨面、擴散發(fā)射結(jié)以及依次沉積在晶體硅襯底上的三層鈍化減反射膜，第一層為SiNx，折射率為2.2-2.4，厚度為5-10nm，第二層SiNx的折射率為1.9-2.1，厚度為50-80nm，第三層為氧化鋁，折射率為1.8-1.9，厚度為2-10nm。本實用新型抗電勢誘導(dǎo)效應(yīng)效果好，并能夠在傳統(tǒng)氮化硅鍍膜設(shè)備基礎(chǔ)上進行生產(chǎn)，成本低。