一種功率器件保護(hù)芯片及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810746985.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108922925B 公開（公告）日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN108922925B 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類號(hào) H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鐘麗蘭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳物芯科技控股集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳峰誠志合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明香
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園社區(qū)瓊宇路2號(hào)特發(fā)信息科技大廈15樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種功率器件保護(hù)芯片及其制作方法，包括：第一導(dǎo)電類型的襯底；第一導(dǎo)電類型的第一外延層，生長于所述襯底上表面；第一導(dǎo)電類型的埋層，形成于所述第一外延層內(nèi)；第二導(dǎo)電類型的第二外延層，形成于所述第一外延層上表面；第二導(dǎo)電類型的第三外延層，貫穿所述第二外延層并與所述埋層連接；第一導(dǎo)電類型的第一注入?yún)^(qū)，形成于所述第二外延層內(nèi)且與所述埋層及所述第三外延層相連接；介質(zhì)層，所述介質(zhì)層包括位于所述第二外延層上表面的第一部分與所述第一部分連接并貫穿所述第二外延層延伸至所述第一外延層的第二部分；多晶硅層，貫穿所述第一部分延伸至所述第三外延層內(nèi)。本發(fā)明可提高器件性能降低器件成本。