功率器件保護(hù)芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811149742.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109244071A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN109244071A 申請(qǐng)公布日 2021-06-18
分類號(hào) H01L27/02;H01L29/872;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳物芯科技控股集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市知頂頂知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 馬世中
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園社區(qū)瓊宇路2號(hào)特發(fā)信息科技大廈15樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供功率器件保護(hù)芯片，其包括襯底；形成在襯底上的外延層；間隔形成在外延層內(nèi)的整流區(qū)，整流區(qū)包括自外延層的上表面向外延層內(nèi)形成的第一溝槽、自第一溝槽的底部向外延層內(nèi)形成的第二溝槽及自第二溝槽的底部向外延層內(nèi)形成的第三溝槽，第一溝槽、第二溝槽及第三溝槽連通且寬度依次減小，第一溝槽、第二溝槽及第三溝槽內(nèi)均填充第一金屬層，第一溝槽、第二溝槽及第三溝槽內(nèi)的第一金屬層與外延層之間的肖特基勢(shì)壘高度依次減??；位于兩個(gè)整流區(qū)之間自外延層的上表面延伸至襯底的隔離區(qū)，隔離區(qū)包括第四溝槽及填滿第四溝槽與襯底歐姆接觸的第二金屬層。本發(fā)明還提供功率器件保護(hù)芯片的制備方法，增強(qiáng)穩(wěn)定性型，縮小封裝面積和降低制備成本。