功率器件保護芯片及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811151183.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109300894B | 公開(公告)日 | 2021-06-18 |
申請公布號 | CN109300894B | 申請公布日 | 2021-06-18 |
分類號 | H01L27/02;H01L21/8222 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳物芯科技控股集團有限公司 |
代理機構(gòu) | 深圳峰誠志合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
地址 | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園社區(qū)瓊宇路2號特發(fā)信息科技大廈15樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供功率器件保護芯片,其包括襯底;形成在襯底上的第一外延層;間隔形成在第一外延層內(nèi)的整流區(qū),整流區(qū)包括自第一外延層的上表面向第一外延層內(nèi)形成的第一溝槽、自第一溝槽的底部向第一外延層內(nèi)形成的第二溝槽及自第二溝槽的底部向第一外延層內(nèi)形成的第三溝槽,所述第一溝槽、所述第二溝槽及第三溝槽連通且寬度依次減小,第一溝槽、第二溝槽及第三溝槽內(nèi)的金屬層與第一外延層之間的肖特基勢壘高度依次減??;位于兩個整流區(qū)之間自第一外延層的上表面延伸至襯底的隔離區(qū),隔離區(qū)包括第四溝槽、位于第四溝槽的底部的注入?yún)^(qū)、形成在第四溝槽內(nèi)的第二外延層。本發(fā)明還提供功率器件保護芯片的制備方法,增強可靠性,縮小封裝面積和降低成本。 |
