一種雙溫區(qū)蒸發(fā)源

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010257756.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113493900A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113493900A 申請公布日 2021-10-12
分類號 C23C14/24（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 董國材;張祥;梁楓 申請（專利權(quán)）人 國成儀器（常州）有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 213000江蘇省常州市常州西太湖科技產(chǎn)業(yè)園祥云路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種雙溫區(qū)蒸發(fā)源，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于溫度均勻性差，導(dǎo)致鍍膜質(zhì)量差、原料利用率低、能耗高的技術(shù)問題，包括坩堝、加熱組件和支撐筒，坩堝內(nèi)盛有待蒸發(fā)原料，支撐筒支撐坩堝和加熱件，支撐筒設(shè)置開口；加熱組件設(shè)置有兩個加熱件，可以使整個溫場的溫度較為一致，提高了原料使用效率，降低能耗，有效太高了鍍膜質(zhì)量。