多晶硅工藝保險(xiǎn)絲的熔斷裝置及方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110248636.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112630628A | 公開(公告)日 | 2021-04-09 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112630628A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-09 |
分類號(hào) | G01R31/28;H01H85/32 | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 傅郁曉;吳慶;陳迎濤;楊栓;張麗霞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海偉測半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海啟核知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王仙子 |
地址 | 201201 上海市浦東新區(qū)東勝路38號(hào)A區(qū)2棟2F | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明揭示了一種多晶硅工藝保險(xiǎn)絲的熔斷裝置及方法。本發(fā)明提供的多晶硅工藝保險(xiǎn)絲的熔斷裝置包括熔斷自檢模塊,所述熔斷自檢模塊連接至待處理芯片的保險(xiǎn)絲管腳,用于檢測保險(xiǎn)絲功能是否正常;熔斷執(zhí)行模塊,第一端用于連接所述待處理芯片需要熔斷的保險(xiǎn)絲的管腳,第二端連接所述待處理芯片的低電平輸出端,第三端連接所述待處理芯片的高電平輸出端,從而使得電壓在10nS時(shí)間內(nèi)從0上升到工作電壓且無向下振蕩現(xiàn)象;以及絕緣電阻檢測模塊,用于檢測熔斷后的保險(xiǎn)絲的電阻。本發(fā)明能夠提高多晶硅工藝保險(xiǎn)絲熔斷的良率和可靠性。 |
