多晶硅工藝保險(xiǎn)絲的熔斷裝置及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110248636.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112630628B 公開(kāi)（公告）日 2021-05-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN112630628B 申請(qǐng)公布日 2021-05-18
分類(lèi)號(hào) G01R31/28;H01H85/32 分類(lèi) 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 傅郁曉;吳慶;陳迎濤;楊栓;張麗霞 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海偉測(cè)半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海和華啟核知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王仙子
地址 201201 上海市浦東新區(qū)東勝路38號(hào)A區(qū)2棟2F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種多晶硅工藝保險(xiǎn)絲的熔斷裝置及方法。本發(fā)明提供的多晶硅工藝保險(xiǎn)絲的熔斷裝置包括熔斷自檢模塊，所述熔斷自檢模塊連接至待處理芯片的保險(xiǎn)絲管腳，用于檢測(cè)保險(xiǎn)絲功能是否正常；熔斷執(zhí)行模塊，第一端用于連接所述待處理芯片需要熔斷的保險(xiǎn)絲的管腳，第二端連接所述待處理芯片的低電平輸出端，第三端連接所述待處理芯片的高電平輸出端，從而使得電壓在10nS時(shí)間內(nèi)從0上升到工作電壓且無(wú)向下振蕩現(xiàn)象；以及絕緣電阻檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)熔斷后的保險(xiǎn)絲的電阻。本發(fā)明能夠提高多晶硅工藝保險(xiǎn)絲熔斷的良率和可靠性。