一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池金屬電極暴露方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710259867.2 申請日 -
公開（公告）號 CN107180892A 公開（公告）日 2017-09-19
申請公布號 CN107180892A 申請公布日 2017-09-19
分類號 H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/032 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張寧;余新平;丁陽;韓美英;李爽;徐會杰;戴萬雷 申請（專利權(quán)）人 北京四方智和科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金闕華進(jìn)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京四方創(chuàng)能光電科技有限公司;北京四方繼保自動化股份有限公司
地址 100085 北京市海淀區(qū)上地四街9號四方大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池金屬電極暴露方法。該電池組件在垂直方向上從下至上依次為背板透光襯底層、非透明導(dǎo)電金屬層、薄膜光電轉(zhuǎn)化層、透明導(dǎo)電氧化物層、封裝層和前板透光襯底層。此電極暴露方法利用激光器配合掃描振鏡進(jìn)行工作，使用一定波長的激光對需要暴露電極的位置進(jìn)行掃描照射，通過利用不同膜層對激光的吸收程度不同的原理，達(dá)到剝離薄膜光電轉(zhuǎn)化層及透明導(dǎo)電氧化物層，并保留非透明導(dǎo)電金屬層的目的。此種工藝可穩(wěn)定可靠，并使得金屬匯流條能夠直接接觸金屬電極，降低薄膜太陽能電池內(nèi)阻，實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)化效率。