高效高亮度多有源區(qū)隧道再生白光發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN03157152.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN1275337C 公開（公告）日 2006-09-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN1275337C 申請(qǐng)公布日 2006-09-13
分類號(hào) H01L33/00(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈光地;郭霞;郭偉玲;高國(guó) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京工大智源科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京工大智源科技發(fā)展有限公司;北京太時(shí)芯光科技有限公司
地址 100176北京市北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)宏達(dá)北路12號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 高效高亮度多有源區(qū)隧道再生白光半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)，屬于半導(dǎo)體光電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種發(fā)光二極管。本發(fā)明包括有依次縱向?qū)盈B的p型電極(1)，紅色發(fā)光單元(14)，隧道結(jié)(9)，由綠色發(fā)光單元(15)、藍(lán)色發(fā)光單元(16)、及綠色發(fā)光單元與藍(lán)色發(fā)光單元之間的隧道結(jié)(9)或者由藍(lán)綠色發(fā)光單元(19)構(gòu)成的下層芯片(17)，n型電極(13)，還包括有設(shè)在紅色發(fā)光單元和與其相鄰的隧道結(jié)(9)之間的或者設(shè)在下層芯片(17)和與其相鄰的隧道結(jié)(9)之間的芯片鍵合層(8)。本發(fā)明的發(fā)光二極管是一次電光轉(zhuǎn)換，發(fā)光效率高，由于材料為半導(dǎo)體材料，比基于熒光粉的器件的可靠性高，壽命長(zhǎng)，色度逼真。