一種晶圓參數(shù)的修調(diào)方法及裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510979581.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN105551993B | 公開(公告)日 | 2018-06-12 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN105551993B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-06-12 |
分類號(hào) | H01L21/66 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 徐四九 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海威伏半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 上海威伏半導(dǎo)體有限公司 |
地址 | 201703 上海市青浦區(qū)崧秀路555號(hào)3幢1層G區(qū)134室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種晶圓參數(shù)的修調(diào)方法及裝置,所述方法包括:根據(jù)晶圓參數(shù)值和晶圓參數(shù)檔位值擬合線性公式;測(cè)量第N個(gè)實(shí)際晶圓參數(shù)值;根據(jù)線性公式、第N個(gè)實(shí)際晶圓參數(shù)值、第N個(gè)晶圓參數(shù)檔位值及目標(biāo)晶圓參數(shù)值確定第N+1個(gè)晶圓參數(shù)檔位值;測(cè)量第N+1個(gè)實(shí)際晶圓參數(shù)值;根據(jù)線性公式、第N+1個(gè)實(shí)際晶圓參數(shù)值、第N+1個(gè)晶圓參數(shù)檔位值及目標(biāo)晶圓參數(shù)值確定第N+2個(gè)晶圓參數(shù)檔位值;測(cè)量第N+2個(gè)實(shí)際晶圓參數(shù)值;確定第N+2個(gè)實(shí)際晶圓參數(shù)值與目標(biāo)晶圓參數(shù)值的差值的絕對(duì)值是否小于第一預(yù)設(shè)值;在小于第一預(yù)設(shè)值時(shí),將第N+2個(gè)晶圓參數(shù)檔位值四舍五入后的值確定為目標(biāo)晶圓參數(shù)檔位值。本發(fā)明的修調(diào)時(shí)間端,提高了修調(diào)效率。 |
