一種超薄硅片的制備方法、超薄硅片以及太陽(yáng)能電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011603101.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114695232A 公開(kāi)（公告）日 2022-07-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN114695232A 申請(qǐng)公布日 2022-07-01
分類號(hào) H01L21/683（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 隆基綠能科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 710100陜西省西安市長(zhǎng)安區(qū)航天中路388號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種超薄硅片的制備方法、超薄硅片以及太陽(yáng)能電池，涉及太陽(yáng)能光伏技術(shù)領(lǐng)域。其中，在硅襯底上可以形成缺陷層與外延層，且缺陷層在硅襯底與外延層之間，通過(guò)在硅襯底進(jìn)行加熱的方法，使得硅襯底和外延層的界面處形成熱膨脹應(yīng)力，熱膨脹應(yīng)力具有較好的應(yīng)力均勻性，便于外延層的剝離，由于對(duì)硅襯底施加熱膨脹應(yīng)力降低了對(duì)外延層剝離的難度，因此，也降低了對(duì)缺陷層中缺陷密度的要求，缺陷層中較低的缺陷密度可有效提高缺陷層上外延層的質(zhì)量；同時(shí)，對(duì)硅襯底施加的熱膨脹應(yīng)力也降低了對(duì)外延層進(jìn)行剝離時(shí)施加應(yīng)力的要求，避免了高應(yīng)力對(duì)外延層的破壞，提高了超薄硅片制備的良率和效率，工藝重復(fù)性好。