一種硅異質(zhì)結(jié)電池及其制作方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010827798.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112466977B | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-07-15 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112466977B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-15 |
分類(lèi)號(hào) | H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 徐琛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 隆基綠能科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京知迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 710100陜西省西安市長(zhǎng)安區(qū)航天中路388號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種硅異質(zhì)結(jié)電池及其制作方法,涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,以降低P型摻雜硅層與透明導(dǎo)電層之間的肖特基勢(shì)壘,減小P型摻雜硅層耗盡層寬度,從而增加空穴收集能力,提高電池性能。所述該硅異質(zhì)結(jié)電池包括硅基底、界面反型層和第一透明導(dǎo)電層。硅基底包括摻雜硅襯底、P型摻雜硅層以及形成在摻雜硅襯底和P型摻雜硅層之間的第一本征硅層。界面反型層形成在P型摻雜硅層上。第一透明導(dǎo)電層形成在界面反型層上。該界面反型層包含極性有機(jī)分子。極性有機(jī)分子與P型摻雜硅層中的硅原子成鍵。界面反型層具有從透明導(dǎo)電層指向P型摻雜硅層的偶極矩。所述硅異質(zhì)結(jié)電池的制作方法用于制作硅異質(zhì)結(jié)電池。本發(fā)明提供的硅異質(zhì)結(jié)電池用于光伏發(fā)電。 |
