硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010852298.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112151636B 公開(kāi)（公告）日 2022-07-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN112151636B 申請(qǐng)公布日 2022-07-15
分類(lèi)號(hào) H01L31/0747（2012.01）I;H01L31/20（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;B82Y40/00（2011.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/505（2006.01）I;C23C28/04（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐琛 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 隆基綠能科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 710100陜西省西安市長(zhǎng)安區(qū)航天中路388號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池及其制備方法，其中，硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，包括依次疊層設(shè)置的基底、鈍化層、電子傳輸層及透明導(dǎo)電氧化物層，所述電子傳輸層為納米硅氧層，所述納米硅氧層與鈍化層之間設(shè)置有本征納米硅層。上述方案可以改善電子傳輸層的電學(xué)性能。