一種超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太陽能電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011603161.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114695233A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695233A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L21/683（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 申請（專利權(quán)）人 隆基綠能科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 710100陜西省西安市長安區(qū)航天中路388號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太陽能電池，涉及太陽能光伏技術(shù)領(lǐng)域。其中，在硅塊體的表層下方設(shè)置缺陷層，此時，可以對表層進(jìn)行加熱，使得缺陷層一側(cè)的表層獲得熱膨脹應(yīng)力，缺陷層另一側(cè)的硅塊體產(chǎn)生應(yīng)力梯度，相比于未施加熱膨脹應(yīng)力時，表層與硅塊體更易于從缺陷層的位置分離，從而降低了對缺陷層缺陷密度的要求，提高了缺陷層的設(shè)置速率以及表層的晶體質(zhì)量；同時向表層施加的熱膨脹應(yīng)力，也可以在剝離表層的過程中降低對表層的邊緣施加應(yīng)力的要求，從而避免造成超薄硅片的損傷，提升切片得到的超薄硅片的質(zhì)量，因此，本發(fā)明實施例提供的超薄硅片的切片方法生產(chǎn)速率高、重復(fù)性好、產(chǎn)品良率高，能夠獲得高質(zhì)量的超薄硅片。