基于導(dǎo)電基底的光電還原制備石墨烯薄膜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110199737.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102290251A 公開（公告）日 2011-12-21
申請公布號 CN102290251A 申請公布日 2011-12-21
分類號 H01G9/04(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡偉民;龍明策;陳晨 申請（專利權(quán)）人 艾荻環(huán)境技術(shù)（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海交達(dá)專利事務(wù)所 代理人 王錫麟;王毓理
地址 200241 上海市閔行區(qū)東川路555號4號樓三層01A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種無機(jī)納米材料技術(shù)領(lǐng)域的基于導(dǎo)電基底的光電還原制備石墨烯薄膜的方法，通過在導(dǎo)電基底表面用氧化石墨烯溶液成膜作為對電極，以染料敏化半導(dǎo)體薄膜電極作為工作電極組裝為染料敏化太陽電池，經(jīng)光電化學(xué)還原反應(yīng)后得到石墨烯薄膜。本發(fā)明工藝簡單，容易實現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，所制備的石墨烯薄膜原材料為碳，相對鉑電極具有生產(chǎn)原料豐富、成本低廉的優(yōu)點；本方法制備得到能帶可控的石墨烯薄膜，與基底結(jié)合牢固，透光性能良好，催化活性高；可以替代高活性的鉑對電極，直接作為染料敏化太陽電池的對電極，也可以作為其它電化學(xué)或光電化學(xué)相關(guān)電極元件，用于構(gòu)建相應(yīng)的電子器件。