LDMOS及集成LDMOS與CMOS的半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200710148834.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101378075B 公開（公告）日 2012-10-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN101378075B 申請(qǐng)公布日 2012-10-31
分類號(hào) H01L29/78(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 譚健 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳賽芯電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所 代理人 余明偉
地址 215000 江蘇省蘇州市中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)蘇州大道東265號(hào)現(xiàn)代傳媒廣場33C
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種LDMOS及集成LDMOS與CMOS的半導(dǎo)體器件，其中集成LDMOS與CMOS的半導(dǎo)體器件，包括設(shè)于一半導(dǎo)體襯底上一CMOS和一LDMOS，其特征在于該LDMOS包括：一位于該襯底表面的溝道，位于該溝道上的一柵極，一源/漏極，該源/漏極包含一位于所述溝道旁且緊挨著該溝道的輕摻雜區(qū)和一緊挨著該輕摻雜區(qū)的重?fù)诫s區(qū)；一與所述源/漏極摻雜類型相反的反向摻雜阱，該反向摻雜阱位于該溝道下方且完全包含該溝道；一與所述源/漏極摻雜類型相反的反向摻雜區(qū)，該反向摻雜區(qū)位于所述源/漏極的重?fù)诫s區(qū)和所述反向摻雜阱之間。本LDMOS充分利用CMOS已有的工藝，大大減化掩膜層數(shù)。本發(fā)明提供的LDMOS具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小，寄生電容低，成本低等優(yōu)點(diǎn)。