集成電路的蒸發(fā)腔封裝結(jié)構(gòu)及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110721375.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113471156A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471156A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L23/427（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 白鵬飛 申請（專利權(quán)）人 廣州華鉆電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 黃廣龍
地址 510700 廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學(xué)城科豐路31號華南新材料創(chuàng)新園G4棟501號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種集成電路的蒸發(fā)腔封裝結(jié)構(gòu)及制造方法。集成電路的蒸發(fā)腔封裝結(jié)構(gòu)包括：引線框架、導(dǎo)熱外殼、儲液囊、引流部，引線框架包括晶片支撐部，晶片支撐部用于固定晶片和用于支撐晶片，導(dǎo)熱外殼連接引線框架，儲液囊用于設(shè)置在引線框架或?qū)嵬鈿ど?，儲液囊用于在受熱時釋放內(nèi)部存儲的液體，引流部的一端連接引線框架，另一端連接導(dǎo)熱外殼。通過在封裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置儲液囊，在使用時使儲液囊破裂，在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部形成蒸發(fā)腔，使用液體的相變傳遞晶片的熱量，提高芯片的散熱效率。