一種電阻率均勻的半絕緣型碳化硅晶片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911356607.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113026093A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號(hào) CN113026093A 申請公布日 2021-06-25
分類號(hào) C30B23/00;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉春俊;姚靜;趙寧;彭同華;楊建 申請（專利權(quán)）人 北京天科合達(dá)新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 豆貝貝
地址 102600 北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號(hào)2幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種電阻率均勻的半絕緣型碳化硅晶片及其制備方法，所述半絕緣型碳化硅晶片的整體范圍內(nèi)，電阻率的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差小于70％，電阻率的最小值大于1×106Ω·cm。本發(fā)明還提供了一種上述技術(shù)方案所述半絕緣型碳化硅晶片的制備方法，通過采用零度籽晶生長出的晶體和同時(shí)控制晶體生長徑向溫度梯度保證晶體生長的平坦程度，可避免切割、加工得到的晶片的中心和邊緣不同位置源自不同生長時(shí)刻，盡量保證晶片中心和邊緣生長時(shí)刻非常接近，保證晶片整體摻雜的均勻性；摻雜劑均勻地合成到SiC原料中，也保證晶體內(nèi)部電阻率的均勻性。半絕緣型碳化硅晶片的電阻率的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差小于70％，晶片電阻率的最小值大于1×106Ω·cm。