一種低基面位錯(cuò)密度的碳化硅晶體生長方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201811533723.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110592672B | 公開（公告）日 | 2019-12-20 |
| 申請公布號(hào) | CN110592672B | 申請公布日 | 2019-12-20 |
| 分類號(hào) | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉春俊;雍慶;彭同華;趙寧;王波;楊建 | 申請（專利權(quán)）人 | 北京天科合達(dá)新材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司;新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司;北京天科合達(dá)新材料有限公司 |
| 地址 | 102600北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號(hào)2幢301室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種低基面位錯(cuò)密度的碳化硅晶體生長方法，其包括：將裝有碳化硅原料和籽晶的坩堝放于單晶生長爐中，在特定的溫度和壓力條件下使碳化硅原料發(fā)生升華并在籽晶上結(jié)晶，將晶體冷卻，獲得碳化硅單晶。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：在生長過程中，在溫度保持在高溫的條件下，通過控制生長室內(nèi)的壓力來調(diào)控SiC晶體生長過程的開始及中斷，使碳化硅晶體在先開始生長后再中斷生長然后再緩慢接長，從而促使基面位錯(cuò)在中斷后接長時(shí)轉(zhuǎn)換為刃位錯(cuò)，從而獲得低基面位錯(cuò)密度的碳化硅晶體。?? |
