一種低基面位錯(cuò)密度的碳化硅晶體生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811533723.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110592672A 公開（公告）日 2019-12-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN110592672A 申請(qǐng)公布日 2019-12-20
分類號(hào) C30B29/36;C30B23/00 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 劉春俊;雍慶;彭同華;趙寧;王波;楊建 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京天科合達(dá)新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 102600 北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號(hào)2幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低基面位錯(cuò)密度的碳化硅晶體生長(zhǎng)方法，其包括：將裝有碳化硅原料和籽晶的坩堝放于單晶生長(zhǎng)爐中，在特定的溫度和壓力條件下使碳化硅原料發(fā)生升華并在籽晶上結(jié)晶，將晶體冷卻，獲得碳化硅單晶。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：在生長(zhǎng)過程中，在溫度保持在高溫的條件下，通過控制生長(zhǎng)室內(nèi)的壓力來調(diào)控SiC晶體生長(zhǎng)過程的開始及中斷，使碳化硅晶體在先開始生長(zhǎng)后再中斷生長(zhǎng)然后再緩慢接長(zhǎng)，從而促使基面位錯(cuò)在中斷后接長(zhǎng)時(shí)轉(zhuǎn)換為刃位錯(cuò)，從而獲得低基面位錯(cuò)密度的碳化硅晶體。