一種非晶硅薄膜太陽能電池低功率芯片分析處理方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210303317.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102842654B 公開（公告）日 2015-08-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN102842654B 申請(qǐng)公布日 2015-08-12
分類號(hào) H01L31/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊凱;董德慶;莊春泉;汪濤;唐茜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 四川漢能光伏有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊春
地址 518129 廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街道隆平路新天下工業(yè)城2棟一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種非晶硅薄膜太陽能電池低功率芯片分析處理方法，包括以下步驟：（1）對(duì)每一個(gè)低功率芯片加貼一個(gè)標(biāo)簽，每個(gè)標(biāo)簽對(duì)應(yīng)一個(gè)ID，該標(biāo)簽至少包括以下信息：a、關(guān)鍵工序的時(shí)間，b、沉積爐批次，c、電極位置的格式編碼；（2）將ID與電性能測(cè)試結(jié)果逐一對(duì)應(yīng)并儲(chǔ)存在測(cè)試電腦上，將所有的低功率芯片的ID與電性能測(cè)試結(jié)果對(duì)應(yīng)并匯集到唯一個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)；（3）需要分析某個(gè)低功率芯片時(shí)，通過對(duì)該低功率芯片的ID進(jìn)行分析，提取出其標(biāo)簽上的所有電性能測(cè)試結(jié)果，以數(shù)據(jù)列表或者圖表方式呈現(xiàn)。通過本發(fā)明能夠得到有效的、有針對(duì)性的、準(zhǔn)確的、完整的直觀信息，顯著提高了分析處理非晶硅薄膜太陽能電池低功率芯片的效率和準(zhǔn)確性。