用于磁控濺射生產(chǎn)線的一體式濺射環(huán)靶

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201820453866.1 申請日 -
公開（公告）號 CN208201109U 公開（公告）日 2018-12-07
申請公布號 CN208201109U 申請公布日 2018-12-07
分類號 C23C14/35 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 金炯;楊林;姜瓊 申請（專利權(quán)）人 杭州賽威斯真空技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 杭州天欣專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳紅
地址 310052 浙江省杭州市濱江區(qū)江虹南路60號2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種用于磁控濺射生產(chǎn)線的一體式濺射環(huán)靶，包括磁控濺射室、電信號輸入口和靶桿，磁控濺射室包括靶材固定座、靶材、靶導(dǎo)磁座、磁鋼和靶頭座，所述的靶材設(shè)置在所述的靶材固定座的下部，所述的靶桿連接所述的靶頭座，所述的磁鋼設(shè)置在靶頭座和靶導(dǎo)磁座內(nèi)，其特征在于：還設(shè)置有勻氣環(huán)、氬氣通入管和集成法蘭，所述的勻氣環(huán)設(shè)置在所述的磁控濺射室的上部，所述的勻氣環(huán)上設(shè)置有孔，勻氣環(huán)連接所述的氬氣通入管，所述的靶桿和氬氣通入管設(shè)置在集成法蘭上，其優(yōu)點是：適合大功率輸入，帶有射頻防護(hù)功能，提升薄膜質(zhì)量，裝置的集成度高。