束線型磁控濺射生產(chǎn)線
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201820452561.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN208201106U | 公開(公告)日 | 2018-12-07 |
申請公布號 | CN208201106U | 申請公布日 | 2018-12-07 |
分類號 | C23C14/35 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 金炯;楊林;姜瓊 | 申請(專利權(quán))人 | 杭州賽威斯真空技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州天欣專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 杭州賽威斯真空技術(shù)有限公司 |
地址 | 310052 浙江省杭州市濱江區(qū)江虹南路60號2號樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請公開了一種束線型磁控濺射生產(chǎn)線,包括設(shè)置在支架上的進(jìn)出樣室、鍍膜室、高溫退火室,進(jìn)出樣室內(nèi)固定設(shè)置有第一基片放置架,在高溫退火室內(nèi)設(shè)置有第三基片放置架,其特征在于:還設(shè)置有基片傳送室、緩存室和第一升降機(jī)構(gòu),基片傳送室分別連接進(jìn)出樣室、鍍膜室、高溫退火室和緩存室,第一基片放置架的下部連接第一升降機(jī)構(gòu),基片傳送室內(nèi)設(shè)置有一個旋轉(zhuǎn)中心和機(jī)械手,機(jī)械手安裝在旋轉(zhuǎn)中心上,高溫退火室包括高溫室和退火室,在所述高溫室和所述的退火室之間設(shè)置有第二隔熱層,在高溫室的上面固定設(shè)置有第一隔熱層,所述的緩存室與進(jìn)出樣室為相同的結(jié)構(gòu)。 |
