具有低起始電壓的SiC FET組件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810284540.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108735798A 公開（公告）日 2018-11-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN108735798A 申請(qǐng)公布日 2018-11-02
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;陳俊峰;古一夫 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海芯研亮投資咨詢有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海芯研亮投資咨詢有限公司
地址 200231 上海市徐匯區(qū)華涇路509號(hào)7幢432室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有低起始電壓的SiC FET組件及其制造方法，其包括絕緣層等，鋁硅銅層兩側(cè)均與絕緣層連接，絕緣層與柵氧化層連接，多晶硅柵層位于柵氧化層內(nèi)，肖基特層與鋁硅銅層連接，P型碳化硅層與肖基特層連接，N井區(qū)與N型源極層連接且均位于柵氧化層、P型碳化硅層之間，柵氧化層、N井區(qū)、P型碳化硅層均與N型碳化硅外延區(qū)一側(cè)連接，N型碳化硅外延區(qū)另一側(cè)與N型漏極層連接。本發(fā)明可以解決傳統(tǒng)MOSFET回復(fù)時(shí)間過長(zhǎng)的問題，降低常見于SiC組件高啟始電壓的缺點(diǎn)和改善SiC MOSFET組件中柵氧化層因高電場(chǎng)所造成的可靠度問題，大幅提升功率器件的效率，具有快速回復(fù)的能力，降低組件的起始電壓和改善SiC組件操作于反轉(zhuǎn)模式下載子遷移率降低的問題。