一種具有可見光波段的深紫外LED器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010026984.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111223969B | 公開（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111223969B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-20 |
| 分類號(hào) | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張駿;袁章潔;戴江南;陳長(zhǎng)清 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 武漢深紫科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 易賢衛(wèi) |
| 地址 | 430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)東信路數(shù)碼港（光谷創(chuàng)業(yè)街73號(hào)）E幢一層E1236室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種具有可見光波段的深紫外LED器件及其制備方法，所述具有可見光波段的深紫外LED器件由下至上依次設(shè)置有藍(lán)寶石襯底、AlN本征層、n型AlGaN層、電流擴(kuò)展層、深紫外波段量子阱有源層、可見波段量子阱有源層、電子阻擋層、p型AlGaN注入層、p型GaN接觸層、DBR層、p電極以及n電極。本發(fā)明通過(guò)在外延結(jié)構(gòu)中單片集成基于AlGaN材料的深紫外波段量子阱與基于InGaN材料的可見光波段的量子阱，從而真正實(shí)現(xiàn)單顆器件既有深紫外波段發(fā)光又有可見光波段發(fā)光，并簡(jiǎn)化了雙色燈珠器件的制作工序，降低了雙色燈珠器件制作成本。 |
