一種高速硅光調(diào)制器相移臂及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111429663.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114114722A | 公開（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114114722A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類號(hào) | G02F1/025（2006.01）I | 分類 | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 余勝;曹權(quán) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 武漢飛思靈微電子技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市六加知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 許銓芬 |
| 地址 | 430000湖北省武漢市東湖高新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新四路6號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及光通信領(lǐng)域，提供了一種高速硅光調(diào)制器相移臂及其制備方法，高速硅光調(diào)制器相移臂包括：脊型波導(dǎo)；P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)分別位于所述脊型波導(dǎo)的兩側(cè)；P型摻雜區(qū)包括P型重?fù)絽^(qū)和P型輕摻區(qū)；所述P型重?fù)絽^(qū)位于所述脊型波導(dǎo)的邊界區(qū)域，所述P型輕摻區(qū)位于所述脊型波導(dǎo)的核心區(qū)域；N型摻雜區(qū)包括N型重?fù)絽^(qū)和N型輕摻區(qū)；所述N型重?fù)絽^(qū)位于所述脊型波導(dǎo)的邊界區(qū)域，所述N型輕摻區(qū)位于所述脊型波導(dǎo)的核心區(qū)域；本發(fā)明通過在脊型波導(dǎo)內(nèi)光場(chǎng)相對(duì)較弱的邊界區(qū)域進(jìn)行較高濃度的離子摻雜，在脊型波導(dǎo)內(nèi)光場(chǎng)相對(duì)較強(qiáng)的核心區(qū)域進(jìn)行較低濃度的離子摻雜，使得在提高硅光調(diào)制器帶寬的同時(shí)，不會(huì)引起光學(xué)損耗較大幅度的增加。 |
