基于磁場耦合的隔離放大器結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020590909.8 申請日 -
公開（公告）號 CN211908751U 公開（公告）日 2020-11-10
申請公布號 CN211908751U 申請公布日 2020-11-10
分類號 H03F3/68(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 黃海濱;馬輝;蔣賽尖 申請（專利權(quán)）人 無錫思泰迪半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 無錫盛陽專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張寧;楊辰
地址 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)長江路16號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及隔離放大器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于磁場耦合的隔離放大器結(jié)構(gòu)，其能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)送端、接收端、耦合器件集成于一個芯片，其包括發(fā)送端模塊、接收端模塊和耦合器件，其特征在于，所述發(fā)送端模塊包括順次連接的前置放大器/濾波器、脈沖寬度調(diào)制器、電流源開關(guān)組，所述接收端模塊包括順次連接的放大整形電路和低通濾波器，所述耦合器件包括線圈和磁傳感器，所述線圈和磁傳感器之間設(shè)置有絕緣層。??