一種TiB

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011327116.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112458399A 公開（公告）日 2021-03-09
申請公布號 CN112458399A 申請公布日 2021-03-09
分類號 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 彭長明 申請（專利權(quán)）人 創(chuàng)隆實業(yè)（深圳）有限公司
代理機構(gòu) 北京權(quán)智天下知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 王新愛
地址 518000廣東省深圳市寶安區(qū)沙井街道共和第三工業(yè)區(qū)F區(qū)2棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于涂層材料制備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種TiB2/DLC涂層的制備方法及TiB2摻雜DLC涂層。本發(fā)明TiB2/DLC涂層的制備方法包括以下步驟：(1)將基材置于自動化清洗線完成液態(tài)清洗；(2)將基材放置于磁控濺射鍍膜機內(nèi)預抽真空；(3)在磁控濺射鍍膜機內(nèi)進行輝光清洗；(4)在磁控濺射鍍膜機內(nèi)進行膜層沉積；(5)冷卻出爐；其中，膜層沉積過程中頂層的沉積采用PVD和離子源技術(shù)，對向放置線性離子源和TiB2靶材，可利用轉(zhuǎn)架依次沉積層狀非晶態(tài)DLC和晶態(tài)TiB2，形成晶態(tài)與非晶態(tài)的層狀堆疊，如此以TiB2為摻雜元素制備得到的摻雜型DLC涂層內(nèi)應力較低，同時保留了DLC涂層固有的優(yōu)點，具有優(yōu)異的力學性能。??