一種提高晶圓良率的晶圓制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210063669.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114512440A 公開（公告）日 2022-05-17
申請公布號(hào) CN114512440A 申請公布日 2022-05-17
分類號(hào) H01L21/78（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I;G06V40/13（2022.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜桐;黃昊;劉自濤 申請（專利權(quán)）人 上海菲戈恩微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都蓉創(chuàng)智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 200000上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)高斯路497號(hào)2層203室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶圓制造方法，該方法在消光光闌制作前，先在切割道上形成工藝輔助結(jié)構(gòu)。本發(fā)明解決了因涂膠不均勻使得結(jié)構(gòu)厚度均勻差，從而導(dǎo)致指紋芯片采集圖像的像素值不均勻的問題。