一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制作方法及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110524945.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113270333A 公開（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113270333A 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) H01L21/60（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/78（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/482（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李高林 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都奕成科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都極刻智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 唐維虎
地址 610000四川省成都市高新區(qū)尚陽(yáng)路12號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制作方法及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：提供包括芯片的晶圓，在晶圓的一側(cè)開設(shè)針對(duì)芯片的I/O口，且通過(guò)切割工藝得到分離的芯片，對(duì)芯片除I/O口所在的一側(cè)進(jìn)行塑封，形成保護(hù)芯片的塑封體，在芯片的I/O口所在的一側(cè)制作種子層，并基于該種子層制作得到針對(duì)I/O口的重布線層和第一導(dǎo)電凸塊，并在第一導(dǎo)電凸塊上植球，得到半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，相較于相關(guān)技術(shù)中需要提供支撐載體作為芯片的承載件，上述方案無(wú)需提供支撐載體即可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作。