一種用于晶圓清洗設(shè)備的復(fù)合腔體超短行程交錯(cuò)控制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011636689.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112735988A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN112735988A 申請(qǐng)公布日 2021-04-30
分類號(hào) H01L21/67 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖世保;鄧信甫;劉大威;陳丁堃 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇啟微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海智力專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 杜冰云;周濤
地址 200241 上海市閔行區(qū)紫海路170號(hào)1幢3層03室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于晶圓清洗設(shè)備的復(fù)合腔體超短行程交錯(cuò)控制方法，包括以下步驟：在腔體外殼內(nèi)固定支撐環(huán)圈，將第二隔離組件設(shè)置在支撐環(huán)圈上，將第一隔離組件與第二隔離組件交叉從而在兩者之間形成多層引流腔，第一隔離組件上安裝有頂升元件；頂升元件帶動(dòng)第一隔離組件向上移動(dòng)時(shí)，偶數(shù)層引流腔的腔室逐漸縮小、奇數(shù)層引流腔的腔室逐漸增大；頂升元件帶動(dòng)第一隔離組件向下移動(dòng)時(shí)，偶數(shù)層引流腔的腔室逐漸增大、奇數(shù)層引流腔的腔室逐漸縮小。本發(fā)明可以有效地解決了不同類型的化學(xué)清洗液無(wú)法在同一個(gè)晶圓清洗設(shè)備的清洗腔內(nèi)分段清洗的問(wèn)題，有效地提高了單片式晶圓清洗設(shè)備的清洗效率。