單次可程序化位元的形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010461119.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113724769A 公開（公告）日 2021-11-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN113724769A 申請(qǐng)公布日 2021-11-30
分類號(hào) G11C17/16（2006.01）I;G11C11/15（2006.01）I;G11C13/00（2006.01）I;H01L43/08（2006.01）I;H01L27/22（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 柯昱州 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 珠海南北極科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京高沃律師事務(wù)所 代理人 杜陽陽
地址 519080廣東省珠海市高新區(qū)金唐路1號(hào)港灣1號(hào)科創(chuàng)園24棟B區(qū)2層202室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種單次可程序化位元的形成方法，首先，提供一薄膜存儲(chǔ)器裝置，其包含至少一個(gè)存儲(chǔ)器元件與一晶體管，且存儲(chǔ)器元件電性串聯(lián)晶體管。接著，在一交流電流的復(fù)數(shù)周期中，施加交流電流于存儲(chǔ)器元件與晶體管，并限制提供給存儲(chǔ)器元件的功率，且導(dǎo)通晶體管，以改變存儲(chǔ)器元件的電阻，直到存儲(chǔ)器元件的電阻發(fā)生不可逆改變?yōu)橹?。本發(fā)明利用雙極性電流對(duì)薄膜存儲(chǔ)器裝置施壓，并限制提供給存儲(chǔ)器裝置的功率，以達(dá)到較低崩潰電壓，同時(shí)縮小崩潰后的電阻分布范圍。