一種半導(dǎo)體器件的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610559436.3 申請日 -
公開（公告）號 CN107622939A 公開（公告）日 2018-01-23
申請公布號 CN107622939A 申請公布日 2018-01-23
分類號 H01L21/027;H01L21/225;H01L21/265;H01L29/06;G03F7/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李菲;任留濤;李欣 申請（專利權(quán)）人 超致（上海）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海智晟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 超致（上海）半導(dǎo)體有限公司
地址 201203 上海市中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)芳春路400號1幢3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的制造方法。通過該方法，可減少外延層數(shù)目，從而簡化工藝流程、降低成本、提高工藝精度。該方法包括：在襯底上提供第一導(dǎo)電類型的第一外延層；在所述第一外延層上形成掩模層，以限定第二導(dǎo)電類型的柱形擴(kuò)散區(qū)所在的區(qū)域；使用兆電子伏特級能量的第二導(dǎo)電類型摻雜劑離子，對第一外延層進(jìn)行離子注入，以形成第二導(dǎo)電類型摻雜劑本體區(qū)；去除所述掩模層；進(jìn)行高溫推阱，使第二導(dǎo)電類型摻雜本體區(qū)中第二導(dǎo)電類型摻雜物進(jìn)行擴(kuò)散，得到第二導(dǎo)電類型的柱形擴(kuò)散區(qū)。