一種BiVO

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011204756.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113293382A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113293382A 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類號(hào) C23F13/14（2006.01）I;C25D9/04（2006.01）I;C23C18/12（2006.01）I;C23C28/04（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 付帥;熊賢強(qiáng);褚雨瀟;陳嘯;武承林;范利亞;韓得滿 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 臺(tái)州市生物醫(yī)化產(chǎn)業(yè)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京高沃律師事務(wù)所 代理人 趙琪
地址 318000浙江省臺(tái)州市椒江區(qū)市府大道1139號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種BiVO4/MnOOH薄膜電極的制備方法，屬于防腐材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所得BiVO4/MnOOH薄膜電極能夠吸收可見(jiàn)光，有效拓寬了光陽(yáng)能光譜的吸收范圍；MnOOH的負(fù)載加速了開(kāi)路電位下BiVO4電極表面的空穴轉(zhuǎn)移速度，降低了載流子的復(fù)合速率，用于光生陰極防腐時(shí)，能夠大幅增加光生電子向陰極金屬材料的注入效率，有效促進(jìn)陰極金屬材料自腐蝕電位的負(fù)移，從而增強(qiáng)了陰極金屬材料在含氯環(huán)境下的抗腐蝕能力。同時(shí)，MnOOH的負(fù)載避免了BiVO4光電極與溶液的直接接觸，避免了BiVO4的化學(xué)腐蝕，進(jìn)而提高了BiVO4/MnOOH薄膜電極的穩(wěn)定性。