一種晶圓金屬層的腐蝕方法和裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110579185.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113517190A | 公開(公告)日 | 2021-10-19 |
申請公布號 | CN113517190A | 申請公布日 | 2021-10-19 |
分類號 | H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 吳沛飛;孫俊敏;武曉瑋;韓紀層 | 申請(專利權(quán))人 | 國網(wǎng)福建省電力有限公司電力科學研究院 |
代理機構(gòu) | 北京安博達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐國文 |
地址 | 102209北京市昌平區(qū)未來科技城濱河大道18號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種晶圓金屬層的腐蝕方法和裝置,采用濺射工藝或蒸發(fā)工藝在晶圓表面沉積一定厚度的金屬層,采用光刻工藝在沉積有金屬層的晶圓表面形成光刻膠掩膜圖案,采用腐蝕工藝對所述光刻膠掩膜圖案底部的金屬層進行腐蝕,能夠盡可能避免腐蝕后出現(xiàn)掉膠和塌膠現(xiàn)象,避免掉膠和塌膠而引起的表面線條不規(guī)整、側(cè)壁形貌參差不齊等工藝不良問題,可極大改善腐蝕區(qū)邊緣線條的光滑平直性,提高了晶圓的良率。同時保證了金屬層腐蝕圖形的質(zhì)量,有效地完善了金屬腐蝕工藝和光刻工藝之間的互補性。 |
