蝕刻液及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111276160.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113957441A | 公開(公告)日 | 2022-01-21 |
申請公布號 | CN113957441A | 申請公布日 | 2022-01-21 |
分類號 | C23F1/26(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 周志強;袁明軍;李治文;杜小林;胡秋雨;劉彬云 | 申請(專利權(quán))人 | 廣東光華科技股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 黎金娣 |
地址 | 511400廣東省廣州市番禺區(qū)石樓鎮(zhèn)創(chuàng)啟路63號創(chuàng)啟7號樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種蝕刻液及其制備方法應(yīng)用,該蝕刻液包括水、氟鹽、鋁緩蝕劑和氧化劑;所述鋁緩蝕劑的結(jié)構(gòu)中含有氮原子和硼羥基,或所述鋁緩蝕劑的結(jié)構(gòu)中含有氮原子和硼酸頻哪醇酯基。該蝕刻液能快速蝕刻腐蝕鈦而對鋁的腐蝕作用較小,蝕刻系數(shù)大,能夠滿足目前半導(dǎo)體晶圓封裝工藝制作精細線路的制程要求,且安全可靠,對環(huán)境污染小,具有廣闊的應(yīng)用前景。 |
