可調(diào)鉗位電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911215203.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110855277B 公開（公告）日 2021-07-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN110855277B 申請(qǐng)公布日 2021-07-23
分類號(hào) H03K17/08（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 聶海英 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州三英知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 潘時(shí)偉
地址 215123江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)星湖街328號(hào)創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園2-B304-1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種可調(diào)鉗位電路，用于為目標(biāo)高壓NMOS管提供電壓保護(hù)，包括：電流泄放模塊，連接至目標(biāo)高壓NMOS管的柵極，電流泄放模塊用于為目標(biāo)高壓NMOS管提供柵極電壓泄放通道；電壓比較模塊，連接至目標(biāo)高壓NMOS管的柵極和漏極，電壓比較模塊用于在目標(biāo)高壓NMOS管的漏極電壓下降至設(shè)定值時(shí)，控制電流泄放模塊導(dǎo)通以泄放目標(biāo)高壓NMOS管的柵極電荷；鉗位電壓調(diào)節(jié)模塊，用于調(diào)節(jié)所述設(shè)定值，并通過外接參考電壓源限定目標(biāo)高壓NMOS管柵源之間的電壓差。這樣，當(dāng)目標(biāo)高壓NMOS管的漏極電壓快速下降時(shí)，電壓比較模塊可以及時(shí)地控制電流泄放模塊導(dǎo)通以泄放目標(biāo)高壓NMOS管的柵極電荷，實(shí)現(xiàn)對(duì)目標(biāo)高壓NMOS管的電壓保護(hù)，并且更加靈活且適應(yīng)不同電路狀況。