一種用于選擇性移除氮化鈦硬掩模和/或蝕刻殘留物的組合物

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810082642.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110095952A 公開（公告）日 2019-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN110095952A 申請(qǐng)公布日 2019-08-06
分類號(hào) G03F7/42 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 曹立志;王新龍;支肖瓊;楊玉川;周友 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 張家港奧擎電子化學(xué)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市中咨律師事務(wù)所 代理人 肖威;劉金輝
地址 215634 江蘇省蘇州市張家港保稅區(qū)新興產(chǎn)業(yè)育成中心A棟210B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于選擇性移除氮化鈦硬掩模和/或蝕刻殘留物的組合物，其包含氧化劑、多胺化合物、銨鹽和腐蝕抑制劑。本發(fā)明組合物可有效移除氮化鈦硬掩模和/或蝕刻殘留物，而不對(duì)半導(dǎo)體晶片結(jié)構(gòu)上暴露的金屬銅和介電材料（即低k材料）產(chǎn)生明顯腐蝕。此外，本發(fā)明的移除組合物可在比較大的溫度范圍內(nèi)發(fā)揮作用，具有較大的操作窗口。