一種用于去除半導體晶片蝕刻殘留物的清洗組合物

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810082648.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110095953A 公開（公告）日 2019-08-06
申請公布號 CN110095953A 申請公布日 2019-08-06
分類號 G03F7/42 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 曹立志;王新龍;支肖瓊;楊玉川;周友 申請（專利權(quán)）人 張家港奧擎電子化學有限責任公司
代理機構(gòu) 北京市中咨律師事務(wù)所 代理人 肖威;劉金輝
地址 215634 江蘇省蘇州市張家港保稅區(qū)新興產(chǎn)業(yè)育成中心A棟210B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種用于去除半導體晶片蝕刻殘留物的清洗組合物，其包含：含四?C1?C6烷基胍和水的溶劑、氟化物、羥胺和選自苯甲酸類及其鹽的腐蝕抑制劑。本發(fā)明的刻蝕殘留物清洗組合物可以有效地清洗金屬和半導體制造過程中產(chǎn)生的刻蝕殘留物，不會對所接觸銅、介電材料等材料有腐蝕作用，并且可以使金屬晶片在清洗時金屬細線比較光滑；其可在比較大的溫度范圍內(nèi)發(fā)揮作用，具有較大的操作窗口。