一種功率器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810782322.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108962848B 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN108962848B 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L23/367（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐立根 申請（專利權(quán)）人 深圳市福來過科技有限公司
代理機構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 任立
地址 211500 江蘇省南京市六合區(qū)雄州街道王橋路59號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種功率器件及其制作方法，包括：在硅片上表面形成第一溝槽，在所述硅片下表面形成第二溝槽；在所述第一溝槽內(nèi)形成源極和柵極結(jié)構(gòu)；在所述第二溝槽內(nèi)形成背面電極；在所述硅片上表面所述第一溝槽兩側(cè)形成第三溝槽和第四溝槽，在所述硅片下表面所述第二溝槽兩側(cè)形成第五溝槽和第六溝槽；在所述第三溝槽、所述第四溝槽、所述第五溝槽和所述第六溝槽的側(cè)壁和底面形成介質(zhì)層；在所述第三溝槽、所述第四溝槽、所述第五溝槽和所述第六溝槽內(nèi)形成第一金屬層；在所述正面電極的上表面和所述背面電極的下表面分別形成第一防水層和第二防水層；將所述硅片上表面連接第一散熱結(jié)構(gòu)，將所述硅片下表面連接第二散熱結(jié)構(gòu)，增加功率器件的熱耗散。