一種晶體管及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810927537.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109119469B 公開(kāi)（公告）日 2021-05-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN109119469B 申請(qǐng)公布日 2021-05-07
分類(lèi)號(hào) H01L29/735;H01L29/167;H01L21/331 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭曉玲 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 深圳市福來(lái)過(guò)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳峰誠(chéng)志合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明香
地址 276017 山東省臨沂市臨沂國(guó)家高新區(qū)雙月園路276號(hào)龍湖軟件園B座201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種晶體管及其制造方法，所述晶體管包括：第一導(dǎo)電類(lèi)型的襯底；第二導(dǎo)電類(lèi)型的外延層，生長(zhǎng)在所述襯底的第一表面；第一導(dǎo)電類(lèi)型基區(qū)，貫穿所述外延層且一端與所述襯底相連接，使得所述外延層形成發(fā)射區(qū)和集電區(qū)；所述發(fā)射區(qū)包括在所述襯底的第一表面向上依次形成的第一隔離層，發(fā)射極層以及第二隔離層；在所述基區(qū)遠(yuǎn)離所述發(fā)射區(qū)一側(cè)的外延層區(qū)域內(nèi)形成集電區(qū)。本發(fā)明提出的晶體管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，放大系數(shù)穩(wěn)定。