模擬中子發(fā)生器及制備方法、可控中子源故障檢測(cè)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011286327.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112512198A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112512198A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | E21B49/00(2006.01)I;G01V5/00(2006.01)I;H05H3/06(2006.01)I | 分類 | 其他類目不包含的電技術(shù); |
| 發(fā)明人 | 陸杰;魏軍學(xué);惠晗;付國(guó)華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西安奧華電子儀器股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 王楊洋 |
| 地址 | 710061陜西省西安市航天基地飛天路588號(hào)北航科技園1號(hào)樓4021-3室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及中子發(fā)生器，具體涉及一種模擬中子發(fā)生器及制備方法、可控中子源故障檢測(cè)方法。本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有可控中子源儀器用中子發(fā)生器存在中子管在無(wú)屏蔽的環(huán)境下試驗(yàn)時(shí)靶壓不能超過(guò)20KV，遠(yuǎn)低于實(shí)際工況下的靶壓，導(dǎo)致部分電參數(shù)不能全面檢測(cè)，可控中子源儀器一旦出現(xiàn)故障，在沒(méi)有相關(guān)中子屏蔽防護(hù)的狀態(tài)下可能會(huì)誤出中子射線，導(dǎo)致不能立刻全面檢測(cè)儀器，只能返廠維修，致使維修周期過(guò)長(zhǎng)的技術(shù)問(wèn)題，提供一種模擬中子發(fā)生器及制備方法、可控中子源故障檢測(cè)方法。該模擬中子發(fā)生器能加高壓，能電離但不會(huì)出射中子射線，使用該裝置后，可以測(cè)試高壓電路及電離電路，對(duì)全面分析儀器參數(shù)起到了促進(jìn)作用，確保了試驗(yàn)的安全性。?? |
