具有降低的結(jié)溫的功率模塊及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810194280.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110246808B 公開（公告）日 2021-08-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN110246808B 申請(qǐng)公布日 2021-08-10
分類號(hào) H01L23/13;H01L23/535;H01L21/50 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 莊偉東;姚二現(xiàn) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國(guó)銀行股份有限公司溧水支行
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹成俊
地址 211200 江蘇省南京市溧水經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)秀山西路9號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有降低的結(jié)溫的功率模塊及其制造方法，所述功率模塊的結(jié)構(gòu)包括上DBC層、功率芯片層、下DBC層及散熱器，上DBC層自上而下依次包括上銅箔層、上陶瓷層、上線路層，功率芯片層包括功率芯片、鍵合金屬片及引線金屬片，下DBC層自上而下依次包括下線路層、下陶瓷層、下銅箔層，散熱器直接與下銅箔層接觸，功率芯片直接鋪設(shè)在下線路層上，上線路層與功率芯片接觸，功率芯片通過鍵合金屬片和上線路層進(jìn)行相互之間的連接并且最終通過引線金屬片連接到信號(hào)端子和功率端子。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以有效降低芯片運(yùn)行時(shí)的結(jié)溫，適合于硅和化合物半導(dǎo)體功率模塊。