寫操作電路、半導體存儲器和寫操作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911021589.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112712841A 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN112712841A 申請公布日 2021-04-27
分類號 G11C11/4093;G11C11/4096 分類 信息存儲;
發(fā)明人 張良 申請（專利權）人 長鑫存儲技術（上海）有限公司
代理機構 北京市鑄成律師事務所 代理人 包莉莉;武晨燕
地址 200336 上海市長寧區(qū)虹橋路1438號1幢801、802、805單元(名義樓層9層)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例至少提供一種寫操作電路，包括：數(shù)據(jù)判斷模塊，根據(jù)半導體存儲器的輸入數(shù)據(jù)中為低的數(shù)據(jù)的位數(shù)，確定是否翻轉(zhuǎn)輸入數(shù)據(jù)，以生成翻轉(zhuǎn)標識數(shù)據(jù)和第一中間數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)緩沖模塊，根據(jù)第二中間數(shù)據(jù)，確定是否翻轉(zhuǎn)全局總線，其中，第二中間數(shù)據(jù)為第一中間數(shù)據(jù)的反相數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)接收模塊，根據(jù)翻轉(zhuǎn)標識數(shù)據(jù)，對全局總線數(shù)據(jù)進行解碼，并將解碼后的數(shù)據(jù)寫入半導體存起的存儲塊，解碼包括確定是否翻轉(zhuǎn)全局總線數(shù)據(jù)；預充電模塊，將全局總線的初始態(tài)設置為高。本申請實施例的技術方案可以實現(xiàn)在Precharge上拉架構下，減少內(nèi)部全局總線的翻轉(zhuǎn)次數(shù)，從而大幅壓縮電流，降低功耗。