雙壓槽強(qiáng)化柱點(diǎn)防爆電容外殼

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721532821.5 申請日 -
公開（公告）號 CN207397947U 公開（公告）日 2018-05-22
申請公布號 CN207397947U 申請公布日 2018-05-22
分類號 H01G2/10;H01G2/14 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 翁健洪 申請（專利權(quán)）人 肇慶市洪利電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 東莞市神州眾達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳世洪
地址 526000 廣東省肇慶市端州區(qū)127區(qū)羚山腳西南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于電子元件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及雙壓槽強(qiáng)化柱點(diǎn)防爆電容外殼，包括電容外殼，所述電容外殼的上端和下端均設(shè)置有壓槽，所述電容外殼的底部設(shè)置有防爆點(diǎn)，所述防爆點(diǎn)上方環(huán)繞設(shè)置有強(qiáng)化柱。由于結(jié)合了雙壓槽設(shè)計(jì)和強(qiáng)化柱、防爆點(diǎn)，本實(shí)用新型提供的電容外殼具有抗沖擊、抗震能力強(qiáng)和安全性高的優(yōu)點(diǎn)，具有較大的實(shí)用價值。