超低損耗高頻電容器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911363661.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113053657A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號(hào) CN113053657A 申請公布日 2021-06-29
分類號(hào) H01G4/12（2006.01）I;H01G4/33（2006.01）I;H01G4/232（2006.01）I;H01G4/005（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金雷;孔維彬;崔飛;金楊;徐飛 申請（專利權(quán)）人 南京匯聚新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京鼎傲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 殷篩網(wǎng)
地址 211300江蘇省南京市高淳區(qū)滄溪路21號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超低損耗高頻電容器，包括電容器本體、純銅內(nèi)電極、外部電極和鋇釹鐠鈦陶瓷層；所述電容器本體的兩側(cè)對稱設(shè)置外部電極；電容器本體的內(nèi)部設(shè)置一組純銅內(nèi)電極和鋇釹鐠鈦陶瓷層，一組純銅內(nèi)電極交錯(cuò)設(shè)置在電容器本體內(nèi)部，一組純銅內(nèi)電極與鋇釹鐠鈦陶瓷層交替堆疊，所述一組純銅內(nèi)電極均與外部電極電性連接；所述的外部電極自內(nèi)至外依次為銅外電極層、鎳電極層和錫電極層；所述銅電極層中銅金屬粉末的粒度≦1μm；所述純銅內(nèi)電極中銅金屬粉末的粒度≦1μm，將陶瓷材料與金屬銅電極共同制作成微波組件，可以生產(chǎn)出超低損耗高頻電容器。