有損耗無頻散介質(zhì)下的集成電路全波電磁仿真方法及系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111166768.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113887160B | 公開(公告)日 | 2022-03-11 |
申請公布號 | CN113887160B | 申請公布日 | 2022-03-11 |
分類號 | G06F30/3308(2020.01)I;G06F30/23(2020.01)I | 分類 | 計(jì)算;推算;計(jì)數(shù); |
發(fā)明人 | 王芬 | 申請(專利權(quán))人 | 北京智芯仿真科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京星通盈泰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李筱 |
地址 | 100085北京市海淀區(qū)信息路甲28號B座(二層)02B室-350號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請公開了有損耗無頻散介質(zhì)下的集成電路全波電磁仿真方法及系統(tǒng),首先將形成多層集成電路的材料分為非導(dǎo)電媒質(zhì)和導(dǎo)電媒質(zhì),基于剖分的平行平板場域的網(wǎng)格節(jié)點(diǎn)按所在的介質(zhì)區(qū)域進(jìn)行編號,然后建立有損耗無頻散介質(zhì)下的矩陣方程,然后基于網(wǎng)格節(jié)點(diǎn)的編號結(jié)果對有限元未知量進(jìn)行劃分,然后基于矩陣方程通過迭代方法計(jì)算集成電路的基準(zhǔn)頻點(diǎn)及其場解,并對場解進(jìn)行分塊,之后對于低于基準(zhǔn)頻點(diǎn)的待求頻點(diǎn),對基準(zhǔn)頻點(diǎn)的場解進(jìn)行拆分并依據(jù)拆分結(jié)果獲得低于基準(zhǔn)頻點(diǎn)的待求頻點(diǎn)的場解,最后基于所有待求頻點(diǎn)的場解獲得全頻段的電磁響應(yīng)。該方法能夠計(jì)算出全波分析的基準(zhǔn)頻點(diǎn),并基于基準(zhǔn)頻點(diǎn)實(shí)現(xiàn)對低頻頻點(diǎn)場解的求解。 |
