無損耗有頻散介質(zhì)下的集成電路全波電磁仿真方法及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111166771.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113887102B 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN113887102B 申請公布日 2022-03-11
分類號 G06F30/23（2020.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 王芬 申請（專利權(quán)）人 北京智芯仿真科技有限公司
代理機構(gòu) 北京星通盈泰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李筱
地址 100085北京市海淀區(qū)信息路甲28號B座（二層）02B室-350號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了無損耗有頻散介質(zhì)下的集成電路全波電磁仿真方法及系統(tǒng)，首先獲取超大規(guī)模集成電路的模型信息并據(jù)此對集成電路進行建模，然后基于所述建模得到的模型對集成電路的平行平板場域進行網(wǎng)格剖分，然后基于所述網(wǎng)格剖分的結(jié)果建立無損耗有頻散介質(zhì)下的矩陣方程，然后基于所述矩陣方程通過迭代方法計算集成電路的基準(zhǔn)頻點及其場解，然后對于低于基準(zhǔn)頻點的待求頻點，獲得基準(zhǔn)頻點的場解與低頻場解之間的比例系數(shù)，基于基準(zhǔn)頻點的場解與所述比例系數(shù)獲得待求頻點下的場解，最后基于所有待求頻點的場解獲得全頻段的電磁響應(yīng)。該方法能夠計算出全波分析的基準(zhǔn)頻點，并基于基準(zhǔn)頻點實現(xiàn)對低頻頻點場解的準(zhǔn)確求解。